NTMFSC004N08MC ON Semiconductor
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 98.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFSC004N08MC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFSC004N08MC за ціною від 87.47 грн до 300.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFSC004N08MC | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFSC004N08MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFSC004N08MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V |
на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFSC004N08MC | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, ___A, 4.0mohm |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFSC004N08MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFSC004N08MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
NTMFSC004N08MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFSC004N08MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMFSC004N08MC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 136A; Idm: 487A; 127W; DFN8 Case: DFN8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 43.4nC On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 127W Drain current: 136A Pulsed drain current: 487A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V |
товару немає в наявності |