Продукція > ONSEMI > NTMFSC010N08M7
NTMFSC010N08M7

NTMFSC010N08M7 onsemi

ntmfsc010n08m7-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFSC010N08M7 onsemi

Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 78.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78.1W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFSC010N08M7 за ціною від 40.95 грн до 165.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 ONSEMI 3213452.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.02 грн
500+54.82 грн
1000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 onsemi ntmfsc010n08m7-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
10+87.66 грн
100+65.66 грн
500+50.38 грн
1000+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 ONSEMI 3213452.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.28 грн
10+104.43 грн
100+73.02 грн
500+54.82 грн
1000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 onsemi ntmfsc010n08m7-d.pdf MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, 61A, 10mohm N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench? MOSFET 80 V, 61 A, 10 m?
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.21 грн
10+68.82 грн
100+45.67 грн
500+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 ONN ntmfsc010n08m7-d.pdf
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 3213452.pdf
NTMFSC010N08M7
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+73.02 грн
500+54.82 грн
1000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 ntmfsc010n08m7-d.pdf
NTMFSC010N08M7
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.94 грн
10+87.66 грн
100+65.66 грн
500+50.38 грн
1000+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 3213452.pdf
NTMFSC010N08M7
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+165.28 грн
10+104.43 грн
100+73.02 грн
500+54.82 грн
1000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 ntmfsc010n08m7-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, 61A, 10mohm N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench? MOSFET 80 V, 61 A, 10 m?
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+133.21 грн
10+68.82 грн
100+45.67 грн
500+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 ntmfsc010n08m7-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.