NTMFSC010N08M7 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 44.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFSC010N08M7 onsemi
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 78.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78.1W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTMFSC010N08M7 за ціною від 45.74 грн до 148.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFSC010N08M7 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78.1W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFSC010N08M7 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V |
на замовлення 3499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFSC010N08M7 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78.1W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTMFSC010N08M7 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, 61A, 10mohm N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench? MOSFET 80 V, 61 A, 10 m? |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
NTMFSC010N08M7 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A Reel |
товару немає в наявності |