Продукція > ONSEMI > NTMFSC011N08M7
NTMFSC011N08M7

NTMFSC011N08M7 onsemi

ntmfsc011n08m7-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 15531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.29 грн
6000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFSC011N08M7 onsemi

Description: MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMFSC011N08M7 за ціною від 46.19 грн до 155.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFSC011N08M7 NTMFSC011N08M7 Виробник : onsemi ntmfsc011n08m7-d.pdf Description: MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 15533990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.30 грн
10+95.62 грн
100+64.79 грн
500+48.43 грн
1000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC011N08M7 Виробник : ON Semiconductor ntmfsc011n08m7-d.pdf N-Channel Dual Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC011N08M7 Виробник : onsemi NTMFSC011N08M7-D.PDF MOSFETs MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC011N08M7 Виробник : ONSEMI ntmfsc011n08m7-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 61A; Idm: 180A; 31.2W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 31.2W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.