NTMFSC1D6N06CL ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 235 A, 0.0015 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 114.80 грн |
| 500+ | 96.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFSC1D6N06CL ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 235 A, 0.0015 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 235A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 166W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFSC1D6N06CL за ціною від 52.92 грн до 189.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFSC1D6N06CL | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6 60V LL IN 5X6 DUALCOOL |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFSC1D6N06CL | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 235 A, 1500 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 235A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFSC1D6N06CL | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V |
на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFSC1D6N06CL | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |