Продукція > ONSEMI > NTMFSC1D9N08XTWG
NTMFSC1D9N08XTWG

NTMFSC1D9N08XTWG onsemi

NTMFSC1D9N08X-D%20.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET POWERTRENCH T10, SINGLE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.94 грн
10+166.96 грн
50+128.80 грн
100+109.35 грн
500+89.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFSC1D9N08XTWG onsemi

Description: ONSEMI - NTMFSC1D9N08XTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 0.0019 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 164W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm.

Інші пропозиції NTMFSC1D9N08XTWG за ціною від 86.32 грн до 288.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFSC1D9N08XTWG NTMFSC1D9N08XTWG onsemi NTMFSC1D9N08X-D%20.pdf MOSFETs 80V T10 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE
на замовлення 23259 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+288.88 грн
10+185.48 грн
100+117.37 грн
500+98.44 грн
1000+90.87 грн
3000+86.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC1D9N08XTWG NTMFSC1D9N08XTWG ONSEMI 4643397.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC1D9N08XTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 0.0019 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC1D9N08XTWG NTMFSC1D9N08XTWG onsemi NTMFSC1D9N08X-D%20.pdf Description: MOSFET POWERTRENCH T10, SINGLE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC1D9N08XTWG NTMFSC1D9N08X-D%20.pdf
NTMFSC1D9N08XTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V T10 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE
на замовлення 23259 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.88 грн
10+185.48 грн
100+117.37 грн
500+98.44 грн
1000+90.87 грн
3000+86.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC1D9N08XTWG 4643397.pdf
NTMFSC1D9N08XTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC1D9N08XTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 0.0019 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC1D9N08XTWG NTMFSC1D9N08X-D%20.pdf
NTMFSC1D9N08XTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET POWERTRENCH T10, SINGLE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1930 шт
В кошику  од. на суму  грн.