на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.66 грн |
| 10+ | 119.52 грн |
| 100+ | 71.24 грн |
| 500+ | 59.42 грн |
| 1000+ | 52.27 грн |
| 3000+ | 48.35 грн |
| 6000+ | 46.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFSC2D6N08XTWG onsemi
Description: MOSFET - POWERTRENCH T10, SINGLE, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V, Power Dissipation (Max): 133W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFSC2D6N08XTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFSC2D6N08XTWG | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET - POWERTRENCH T10, SINGLEPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |