Продукція > ONSEMI > NTMFSC4D2N10MC
NTMFSC4D2N10MC

NTMFSC4D2N10MC onsemi

ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+113.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFSC4D2N10MC onsemi

Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 122W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFSC4D2N10MC за ціною від 117.31 грн до 420.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC ONSEMI NTMFSC4D2N10MC-D.PDF Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+214.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC onsemi NTMFSC4D2N10MC_D-2319038.pdf MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 100V, ___A, 4.2mohm
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.03 грн
10+209.59 грн
25+177.36 грн
100+148.03 грн
250+143.15 грн
500+132.67 грн
1000+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC onsemi ntmfsc4d2n10mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.37 грн
10+201.98 грн
100+143.35 грн
500+125.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC ONSEMI NTMFSC4D2N10MC-D.PDF Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+420.36 грн
50+273.72 грн
100+214.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC-D.PDF
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+214.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC_D-2319038.pdf
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: onsemi
MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 100V, ___A, 4.2mohm
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+246.03 грн
10+209.59 грн
25+177.36 грн
100+148.03 грн
250+143.15 грн
500+132.67 грн
1000+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+317.37 грн
10+201.98 грн
100+143.35 грн
500+125.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC-D.PDF
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+420.36 грн
50+273.72 грн
100+214.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.