Продукція > ONSEMI > NTMFSC4D2N10MC
NTMFSC4D2N10MC

NTMFSC4D2N10MC onsemi

ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+111.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFSC4D2N10MC onsemi

Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 122W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFSC4D2N10MC за ціною від 123.02 грн до 310.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC ON Semiconductor ntmfsc4d2n10mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.71 грн
10+164.09 грн
25+163.06 грн
100+156.79 грн
250+144.84 грн
500+138.64 грн
1000+138.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC ON Semiconductor ntmfsc4d2n10mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+175.71 грн
86+164.09 грн
87+163.06 грн
100+156.79 грн
250+144.84 грн
500+138.64 грн
1000+138.24 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC ON Semiconductor ntmfsc4d2n10mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+224.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC onsemi ntmfsc4d2n10mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.97 грн
10+197.91 грн
100+140.46 грн
500+123.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC onsemi ntmfsc4d2n10mc-d.pdf MOSFETs 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC ONSEMI NTMFSC4D2N10MC-D.PDF Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC ONSEMI NTMFSC4D2N10MC-D.PDF Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+175.71 грн
10+164.09 грн
25+163.06 грн
100+156.79 грн
250+144.84 грн
500+138.64 грн
1000+138.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+175.71 грн
86+164.09 грн
87+163.06 грн
100+156.79 грн
250+144.84 грн
500+138.64 грн
1000+138.24 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+224.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+310.97 грн
10+197.91 грн
100+140.46 грн
500+123.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC-D.PDF
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC-D.PDF
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.