NTMFSC4D2N10MC onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 113.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFSC4D2N10MC onsemi
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 122W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFSC4D2N10MC за ціною від 117.14 грн до 316.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFSC4D2N10MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 122W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFSC4D2N10MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 2908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFSC4D2N10MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 2908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFSC4D2N10MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 122W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFSC4D2N10MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFSC4D2N10MC | Виробник : onsemi |
MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 100V, ___A, 4.2mohm |
на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFSC4D2N10MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V |
на замовлення 3158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFSC4D2N10MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |