Продукція > ONSEMI > NTMFWS1D5N08XT1G
NTMFWS1D5N08XT1G

NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI

ntmfws1d5n08x-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+141.12 грн
500+123.38 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 253A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: DFNW-EP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFWS1D5N08XT1G за ціною від 93.43 грн до 288.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G Виробник : onsemi NTMFWS1D5N08X_D-3326461.pdf MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.43mohm, 253 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.43mohm, 253 A
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.35 грн
10+191.20 грн
25+161.11 грн
100+130.95 грн
250+122.86 грн
500+98.58 грн
1500+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G Виробник : ONSEMI 4018414.pdf Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+285.55 грн
10+197.24 грн
100+143.60 грн
500+108.82 грн
1000+94.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G Виробник : onsemi ntmfws1d5n08x-d.pdf Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.88 грн
10+182.54 грн
100+128.15 грн
500+98.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfws1d5n08x-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 253A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G Виробник : ONSEMI ntmfws1d5n08x-d.pdf NTMFWS1D5N08XT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G Виробник : onsemi ntmfws1d5n08x-d.pdf Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.