NTMFWS1D5N08XT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 87.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFWS1D5N08XT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 253A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: DFNW-EP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFWS1D5N08XT1G за ціною від 94.93 грн до 307.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFWS1D5N08XT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 253A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: DFNW-EP Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFWS1D5N08XT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFWS1D5N08XT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.43mohm, 253 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.43mohm, 253 A |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFWS1D5N08XT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 253A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: DFNW-EP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMFWS1D5N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 253A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| NTMFWS1D5N08XT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 253A; Idm: 1071A; 194W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 121nC On-state resistance: 1.43mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Power dissipation: 194W Drain current: 253A Pulsed drain current: 1071A Case: DFNW5 Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |