Продукція > ONSEMI > NTMJS0D7N03CGTWG

NTMJS0D7N03CGTWG ONSEMI


Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 410A; Idm: 900A; 188W; LFPAK8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 410A
On-state resistance: 0.65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Mounting: SMD
Case: LFPAK8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMJS0D7N03CGTWG ONSEMI

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 410A; Idm: 900A; 188W; LFPAK8, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 410A, On-state resistance: 0.65mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 188W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 147nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 900A, Mounting: SMD, Case: LFPAK8, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції NTMJS0D7N03CGTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMJS0D7N03CGTWG Виробник : ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 410A; Idm: 900A; 188W; LFPAK8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 410A
On-state resistance: 0.65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Mounting: SMD
Case: LFPAK8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.