Продукція > ONSEMI > NTMJS0D8N04CLTWG
NTMJS0D8N04CLTWG

NTMJS0D8N04CLTWG ONSEMI

2913021.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 368A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+200.54 грн
500+182.39 грн
1000+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMJS0D8N04CLTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 368A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMJS0D8N04CLTWG за ціною від 165.53 грн до 535.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMJS0D8N04CLTWG NTMJS0D8N04CLTWG Виробник : ONSEMI 2913021.pdf Description: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 368A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.63 грн
10+203.85 грн
100+200.54 грн
500+182.39 грн
1000+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D8N04CLTWG NTMJS0D8N04CLTWG Виробник : onsemi NTMJS0D8N04CL_D-1814225.pdf MOSFET T6 40V LL LFPAK
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.58 грн
10+475.47 грн
25+390.65 грн
100+339.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D8N04CLTWG Виробник : ONSEMI ntmjs0d8n04cl-d.pdf NTMJS0D8N04CLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D8N04CLTWG NTMJS0D8N04CLTWG Виробник : onsemi ntmjs0d8n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D8N04CLTWG NTMJS0D8N04CLTWG Виробник : onsemi ntmjs0d8n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.