
NTMJS0D8N04CLTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 368A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 200.54 грн |
500+ | 182.39 грн |
1000+ | 165.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMJS0D8N04CLTWG ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 368A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMJS0D8N04CLTWG за ціною від 165.53 грн до 535.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMJS0D8N04CLTWG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 368A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMJS0D8N04CLTWG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTMJS0D8N04CLTWG | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
NTMJS0D8N04CLTWG | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NTMJS0D8N04CLTWG | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |