Продукція > ONSEMI > NTMJS1D0N04CTWG

NTMJS1D0N04CTWG onsemi


NTMJS1D0N04C_D-1540071.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 1778-1787 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMJS1D0N04CTWG onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 300A, On-state resistance: 920µΩ, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 83W, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 86nC, Kind of channel: enhancement, Case: LFPAK8, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape.

Інші пропозиції NTMJS1D0N04CTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMJS1D0N04CTWG NTMJS1D0N04CTWG onsemi ntmjs1d0n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D0N04CTWG NTMJS1D0N04CTWG onsemi ntmjs1d0n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D0N04CTWG ONSEMI ntmjs1d0n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 920µΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D0N04CTWG ntmjs1d0n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D0N04CTWG ntmjs1d0n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D0N04CTWG ntmjs1d0n04c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 920µΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.