Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMJS1D0N04CTWG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 300A, On-state resistance: 920µΩ, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 83W, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 86nC, Kind of channel: enhancement, Case: LFPAK8, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції NTMJS1D0N04CTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
NTMJS1D0N04CTWG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NTMJS1D0N04CTWG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMJS1D0N04CTWG | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A On-state resistance: 920µΩ Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC Kind of channel: enhancement Case: LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTMJS1D0N04CTWG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NTMJS1D0N04CTWG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTMJS1D0N04CTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 920µΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 920µΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.



