Продукція > ONSEMI > NTMJS1D4N06CLTWG
NTMJS1D4N06CLTWG

NTMJS1D4N06CLTWG ONSEMI

4019769.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.36 грн
500+109.78 грн
1000+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMJS1D4N06CLTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 262A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMJS1D4N06CLTWG за ціною від 67.13 грн до 240.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG Виробник : ONSEMI 4019769.pdf Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.02 грн
10+169.62 грн
100+129.36 грн
500+109.78 грн
1000+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG Виробник : onsemi NTMJS1D4N06CL-D.PDF MOSFETs T6 60V LL LFPAK
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.56 грн
10+173.01 грн
100+115.31 грн
500+108.44 грн
1000+106.15 грн
3000+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor ntmjs1d4n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG Виробник : onsemi ntmjs1d4n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG Виробник : onsemi ntmjs1d4n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG Виробник : ONSEMI ntmjs1d4n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 262A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.