Продукція > ONSEMI > NTMJS1D4N06CLTWG
NTMJS1D4N06CLTWG

NTMJS1D4N06CLTWG onsemi

ntmjs1d4n06cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMJS1D4N06CLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 262A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 180W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm.

Інші пропозиції NTMJS1D4N06CLTWG за ціною від 76.30 грн до 236.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG onsemi ntmjs1d4n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.94 грн
10+148.46 грн
100+102.90 грн
500+78.30 грн
1000+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG onsemi ntmjs1d4n06cl-d.pdf MOSFETs T6 60V LL LFPAK
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG ONSEMI 4019769.pdf Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG ONSEMI 4019769.pdf Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG ONN ntmjs1d4n06cl-d.pdf
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG ntmjs1d4n06cl-d.pdf
NTMJS1D4N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.94 грн
10+148.46 грн
100+102.90 грн
500+78.30 грн
1000+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG ntmjs1d4n06cl-d.pdf
NTMJS1D4N06CLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG 4019769.pdf
NTMJS1D4N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG 4019769.pdf
NTMJS1D4N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG ntmjs1d4n06cl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.