NTMJS2D5N06CLTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.59 грн |
| 10+ | 149.06 грн |
| 100+ | 103.96 грн |
| 500+ | 79.43 грн |
| 1000+ | 73.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMJS2D5N06CLTWG onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTMJS2D5N06CLTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMJS2D5N06CLTWG | onsemi |
MOSFETs 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMJS2D5N06CLTWG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel
MOSFETs 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)