Продукція > ONSEMI > NTMJST1D4N06CLTXG
NTMJST1D4N06CLTXG

NTMJST1D4N06CLTXG onsemi

ntmjst1d4n06cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMJST1D4N06CLTXG onsemi

Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMJST1D4N06CLTXG за ціною від 65.42 грн до 209.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMJST1D4N06CLTXG NTMJST1D4N06CLTXG onsemi ntmjst1d4n06cl-d.pdf Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
на замовлення 11813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
10+130.65 грн
100+90.12 грн
500+68.32 грн
1000+65.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST1D4N06CLTXG NTMJST1D4N06CLTXG onsemi ntmjst1d4n06cl-d.pdf MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST1D4N06CLTXG ntmjst1d4n06cl-d.pdf
NTMJST1D4N06CLTXG
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
на замовлення 11813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.28 грн
10+130.65 грн
100+90.12 грн
500+68.32 грн
1000+65.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST1D4N06CLTXG ntmjst1d4n06cl-d.pdf
NTMJST1D4N06CLTXG
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.