Продукція > ONSEMI > NTMJST2D6N08HTXG
NTMJST2D6N08HTXG

NTMJST2D6N08HTXG onsemi

ntmjst2d6n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMJST2D6N08HTXG onsemi

Description: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMJST2D6N08HTXG за ціною від 86.09 грн до 276.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMJST2D6N08HTXG NTMJST2D6N08HTXG Виробник : onsemi ntmjst2d6n08h-d.pdf Description: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
на замовлення 17845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.01 грн
10+159.04 грн
100+122.63 грн
500+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST2D6N08HTXG NTMJST2D6N08HTXG Виробник : onsemi NTMJST2D6N08H-D.PDF MOSFETs TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.43 грн
10+177.86 грн
100+121.14 грн
500+102.85 грн
3000+86.85 грн
9000+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST2D6N08HTXG Виробник : ONSEMI ntmjst2d6n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 131.5A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.