NTMS10P02R2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 51.62 грн |
| 5000+ | 47.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMS10P02R2G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTMS10P02R2G за ціною від 37.33 грн до 165.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMS10P02R2G | onsemi |
MOSFETs 20V 10A P-Channel |
на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTMS10P02R2G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 33448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTMS10P02R2G | ONN |
|
на замовлення 3644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMS10P02R2G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 10A P-Channel
MOSFETs 20V 10A P-Channel
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.49 грн |
| 10+ | 96.64 грн |
| 100+ | 56.83 грн |
| 500+ | 45.19 грн |
| 1000+ | 41.40 грн |
| 2500+ | 37.33 грн |
| NTMS10P02R2G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.06 грн |
| 10+ | 100.07 грн |
| 100+ | 74.52 грн |
| 500+ | 55.99 грн |
| 1000+ | 51.50 грн |
| NTMS10P02R2G |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



