NTMS10P02R2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMS10P02R2G onsemi
Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTMS10P02R2G за ціною від 44.8 грн до 137.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMS10P02R2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMS10P02R2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.6W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMS10P02R2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V |
на замовлення 4535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMS10P02R2G | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V 10A P-Channel |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMS10P02R2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMS10P02R2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
NTMS10P02R2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTMS10P02R2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTMS10P02R2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTMS10P02R2G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Power dissipation: 2.5W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTMS10P02R2G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Power dissipation: 2.5W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |