Продукція > ONSEMI > NTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G

NTMS10P02R2G onsemi

ntms10p02r2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.89 грн
5000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMS10P02R2G onsemi

Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTMS10P02R2G за ціною від 45.06 грн до 169.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Виробник : ON Semiconductor ntms10p02r2-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Виробник : ON Semiconductor ntms10p02r2-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+78.17 грн
10+74.41 грн
25+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Виробник : onsemi ntms10p02r2-d.pdf MOSFETs 20V 10A P-Channel
на замовлення 6526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.30 грн
10+86.93 грн
25+74.86 грн
100+62.02 грн
250+61.87 грн
500+50.93 грн
1000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.72 грн
10+102.09 грн
100+73.68 грн
500+56.50 грн
1000+48.48 грн
5000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Виробник : onsemi ntms10p02r2-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
на замовлення 33448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.10 грн
10+102.52 грн
100+76.34 грн
500+57.36 грн
1000+52.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Виробник : ON Semiconductor ntms10p02r2-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Виробник : ON Semiconductor ntms10p02r2-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Виробник : ON Semiconductor ntms10p02r2-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2G Виробник : ONSEMI ntms10p02r2-d.pdf NTMS10P02R2G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.