NTMS4177PR2G ON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMS4177PR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMS4177PR2G за ціною від 24.02 грн до 106.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMS4177PR2G | Виробник : onsemi |
 MOSFETs PFET SO8 30V 9.6A TR |
на замовлення 16279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMS4177PR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMS4177PR2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTMS4177PR2G |
|
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTMS4177PR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.4A; Idm: -46A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11.4A Pulsed drain current: -46A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |