Технічний опис NTMS4177PR2G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V.
Інші пропозиції NTMS4177PR2G за ціною від 26.24 грн до 113.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMS4177PR2G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMS4177PR2G | onsemi |
MOSFETs PFET SO8 30V 9.6A TR |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMS4177PR2G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V |
на замовлення 2233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NTMS4177PR2G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1998 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NTMS4177PR2G |
|
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMS4177PR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 36.90 грн |
| NTMS4177PR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 44.89 грн |
| 100+ | 41.51 грн |
| 500+ | 37.05 грн |
| 1000+ | 32.62 грн |
| 2500+ | 29.05 грн |
| NTMS4177PR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 55.29 грн |
| 25+ | 39.87 грн |
| NTMS4177PR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 153+ | 92.53 грн |
| 500+ | 58.32 грн |
| 1000+ | 53.22 грн |
| 2500+ | 45.56 грн |
| 5000+ | 39.16 грн |
| NTMS4177PR2G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SO8 30V 9.6A TR
MOSFETs PFET SO8 30V 9.6A TR
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.90 грн |
| 10+ | 66.38 грн |
| 100+ | 40.23 грн |
| 500+ | 31.48 грн |
| 1000+ | 28.72 грн |
| 2500+ | 26.24 грн |
| NTMS4177PR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.91 грн |
| 10+ | 69.47 грн |
| 100+ | 46.41 грн |
| 500+ | 34.25 грн |
| 1000+ | 31.26 грн |
| NTMS4177PR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMS4177PR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)