Продукція > ONSEMI > NTMS4177PR2G
NTMS4177PR2G

NTMS4177PR2G onsemi

ntms4177p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMS4177PR2G onsemi

Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMS4177PR2G за ціною від 14.85 грн до 50.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177pd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177pd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+35.24 грн
45+15.92 грн
46+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177pd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177pd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.41 грн
5000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177pd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
326+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177pd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.21 грн
100+41.49 грн
500+38.27 грн
1000+33.79 грн
2500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.09 грн
500+39.30 грн
1000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : onsemi ntms4177p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.09 грн
10+43.51 грн
100+37.87 грн
500+32.80 грн
1000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : onsemi NTMS4177P-D.PDF MOSFETs PFET SO8 30V 9.6A TR
на замовлення 16279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.49 грн
10+44.79 грн
100+34.52 грн
500+33.91 грн
1000+32.00 грн
2500+27.34 грн
5000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177pd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
636+48.72 грн
1000+44.93 грн
10000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.97 грн
50+48.75 грн
100+43.26 грн
500+39.38 грн
1000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177pd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G ntms4177p-d.pdf
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4177pd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G Виробник : ONSEMI ntms4177p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.4A; Idm: -46A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.4A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.