Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMS4816NR2G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTMS4816NR2G за ціною від 28.24 грн до 37.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMS4816NR2G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMS4816NR2G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMS4816NR2G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
NTMS4816NR2G | ON Semiconductor |
MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NTMS4816NR2G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
NTMS4816NR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS4816NR2G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9A, SOIC-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 106224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NTMS4816NR2G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2507 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMS4816NR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 379+ | 37.32 грн |
| 380+ | 37.16 грн |
| 425+ | 33.28 грн |
| 429+ | 31.77 грн |
| NTMS4816NR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 37.85 грн |
| 21+ | 37.42 грн |
| 25+ | 37.32 грн |
| 50+ | 35.83 грн |
| 100+ | 29.71 грн |
| 250+ | 28.24 грн |
| NTMS4816NR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMS4816NR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R
MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTMS4816NR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMS4816NR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMS4816NR2G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMS4816NR2G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 106224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMS4816NR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)