NTMS4816NR2G

NTMS4816NR2G ON Semiconductor


ntms4816n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMS4816NR2G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMS4816NR2G за ціною від 22.62 грн до 32.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMS4816NR2G NTMS4816NR2G Виробник : ONSEMI ntms4816n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMS4816NR2G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 106224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G NTMS4816NR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4816n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.31 грн
21+29.97 грн
25+29.89 грн
50+28.70 грн
100+23.80 грн
250+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G NTMS4816NR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4816n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
379+32.19 грн
380+32.05 грн
425+28.70 грн
429+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G NTMS4816NR2G Виробник : onsemi ntms4816n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G NTMS4816NR2G Виробник : ON Semiconductor NTMS4816N-D-115903.pdf MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G NTMS4816NR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4816n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G Виробник : ON ntms4816n-d.pdf 09+
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G Виробник : ON Semicondu ntms4816n-d.pdf 2007
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4816n-d.pdf
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G NTMS4816NR2G Виробник : ON Semiconductor ntms4816n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G NTMS4816NR2G Виробник : onsemi ntms4816n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.