Продукція > ONSEMI > NTMS5P02R2G
NTMS5P02R2G

NTMS5P02R2G onsemi

ntms5p02r2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.83 грн
10+63.45 грн
100+49.49 грн
500+38.36 грн
1000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMS5P02R2G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V.

Інші пропозиції NTMS5P02R2G за ціною від 36.11 грн до 78.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMS5P02R2G NTMS5P02R2G Виробник : onsemi NTMS5P02R2_D-1814244.pdf MOSFET -20V -5.4A P-Channel
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.77 грн
10+68.53 грн
100+45.72 грн
500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2G Виробник : ON ntms5p02r2-d.pdf
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2G Виробник : ON ntms5p02r2-d.pdf 05+ SOP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2G NTMS5P02R2G Виробник : ON Semiconductor ntms5p02r2-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.05A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2G Виробник : ONSEMI ntms5p02r2-d.pdf NTMS5P02R2G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2G NTMS5P02R2G Виробник : onsemi ntms5p02r2-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.