Продукція > ONSEMI > NTMT045N065SC1
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1 onsemi

ntmt045n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+452.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT045N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN, tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TDFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMT045N065SC1 за ціною від 441.61 грн до 965.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 Виробник : ONSEMI NTMT045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+678.15 грн
50+598.10 грн
100+477.61 грн
250+468.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 Виробник : onsemi ntmt045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+918.26 грн
10+616.31 грн
100+533.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 Виробник : onsemi NTMT045N065SC1-D.PDF SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.48 грн
10+690.60 грн
100+519.87 грн
1000+476.75 грн
3000+441.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 Виробник : ONSEMI ntmt045n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+965.71 грн
5+853.73 грн
10+740.85 грн
50+652.17 грн
100+458.41 грн
250+449.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor ntmt045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1 Виробник : ONSEMI ntmt045n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 197A
Power dissipation: 94W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.