Продукція > ONSEMI > NTMT045N065SC1
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1 onsemi

ntmt045n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+453.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT045N065SC1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA, Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V.

Інші пропозиції NTMT045N065SC1 за ціною від 427.07 грн до 949.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 Виробник : onsemi ntmt045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 63614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+919.96 грн
10+617.51 грн
100+471.65 грн
500+427.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 Виробник : onsemi NTMT045N065SC1_D-3150585.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88
на замовлення 6118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+949.27 грн
10+802.04 грн
25+661.38 грн
100+581.92 грн
250+562.06 грн
500+523.07 грн
1000+470.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor ntmt045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1 Виробник : ONSEMI ntmt045n065sc1-d.pdf NTMT045N065SC1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.