Продукція > ONSEMI > NTMT061N60S5F
NTMT061N60S5F

NTMT061N60S5F onsemi

ntmt061n60s5f-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.6mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 400 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.51 грн
10+416.53 грн
100+336.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT061N60S5F onsemi

Description: SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.6mA, Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTMT061N60S5F за ціною від 269.05 грн до 591.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMT061N60S5F Виробник : onsemi ntmt061n60s5f-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600 V, 61 mohm, 41 A, Power88
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.90 грн
10+417.09 грн
100+316.57 грн
1000+297.70 грн
3000+269.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5F Виробник : ONN ntmt061n60s5f-d.pdf
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5F NTMT061N60S5F Виробник : onsemi ntmt061n60s5f-d.pdf Description: SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.6mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5F Виробник : ONSEMI ntmt061n60s5f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; Idm: 146A; 255W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 41A
Power dissipation: 255W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 146A
Gate charge: 76nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.