Продукція > ONSEMI > NTMT064N65S3H
NTMT064N65S3H

NTMT064N65S3H onsemi


ntmt064n65s3h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+330.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT064N65S3H onsemi

Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260W, Bauform - Transistor: TDFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMT064N65S3H за ціною від 316.13 грн до 735.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H Виробник : ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+506.99 грн
50+433.21 грн
100+349.71 грн
250+343.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H Виробник : ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+679.14 грн
5+593.06 грн
10+506.99 грн
50+433.21 грн
100+349.71 грн
250+343.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H Виробник : onsemi ntmt064n65s3h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+717.96 грн
10+475.57 грн
100+389.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H Виробник : onsemi NTMT064N65S3H-D.PDF MOSFETs 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+735.84 грн
10+521.50 грн
100+372.14 грн
1000+369.84 грн
3000+316.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H Виробник : ON Semiconductor ntmt064n65s3h-d.pdf
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H Виробник : ON Semiconductor ntmt064n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.