NTMT064N65S3H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 527.65 грн |
| 50+ | 450.86 грн |
| 100+ | 363.96 грн |
| 250+ | 357.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMT064N65S3H ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260W, Bauform - Transistor: TDFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMT064N65S3H за ціною від 353.17 грн до 706.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMT064N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMT064N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMT064N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2585 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
NTMT064N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMT064N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NTMT064N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFETs 650V 64MOHM MOSFET |
товару немає в наявності |