NTMT090N65S3HF onsemi
Виробник: onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 296.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMT090N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 272W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMT090N65S3HF за ціною від 323.99 грн до 662.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMT090N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMT090N65S3HF | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V |
на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMT090N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 272W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NTMT090N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NTMT090N65S3HF | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET,650 V, 36 A, 90 mohm, Power88 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMT090N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 272W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |