Продукція > ONSEMI > NTMT090N65S3HF
NTMT090N65S3HF

NTMT090N65S3HF onsemi

ntmt090n65s3hf-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+276.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT090N65S3HF onsemi

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 272W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTMT090N65S3HF за ціною від 300.96 грн до 719.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMT090N65S3HF NTMT090N65S3HF onsemi ntmt090n65s3hf-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.63 грн
10+406.71 грн
100+325.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HF NTMT090N65S3HF onsemi ntmt090n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 90MOHM PQFN88
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+719.51 грн
10+487.14 грн
100+319.99 грн
1000+300.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HF ntmt090n65s3hf-d.pdf
NTMT090N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+616.63 грн
10+406.71 грн
100+325.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HF ntmt090n65s3hf-d.pdf
NTMT090N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 90MOHM PQFN88
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+719.51 грн
10+487.14 грн
100+319.99 грн
1000+300.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.