Продукція > ONSEMI > NTMT090N65S3HF
NTMT090N65S3HF

NTMT090N65S3HF ONSEMI

ntmt090n65s3hf-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 272W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+304.88 грн
250+302.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT090N65S3HF ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 272W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMT090N65S3HF за ціною від 298.69 грн до 595.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMT090N65S3HF NTMT090N65S3HF Виробник : onsemi NTMT090N65S3HF_D-2037107.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 90MOHM PQFN88
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.52 грн
10+413.71 грн
25+358.28 грн
100+305.31 грн
250+302.37 грн
500+298.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HF NTMT090N65S3HF Виробник : ONSEMI ntmt090n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+595.86 грн
5+514.15 грн
10+432.45 грн
50+366.31 грн
100+304.88 грн
250+302.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HF NTMT090N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntmt090n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HF Виробник : ONSEMI ntmt090n65s3hf-d.pdf NTMT090N65S3HF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HF NTMT090N65S3HF Виробник : onsemi ntmt090n65s3hf-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HF NTMT090N65S3HF Виробник : onsemi ntmt090n65s3hf-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.