Продукція > ONSEMI > NTMT125N65S3H
NTMT125N65S3H

NTMT125N65S3H onsemi

ntmt125n65s3h-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FAST 125MOHM PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+349.48 грн
10+251.27 грн
100+149.42 грн
500+124.05 грн
3000+123.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT125N65S3H onsemi

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-PowerTSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTMT125N65S3H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H onsemi ntmt125n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H onsemi ntmt125n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3H ntmt125n65s3h-d.pdf
NTMT125N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3H ntmt125n65s3h-d.pdf
NTMT125N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.