Продукція > ONSEMI > NTMT125N65S3H

NTMT125N65S3H onsemi

Name: NTMT125N65S3H
Brand: onsemi
SKU: 4880652-4
Price: 582.65 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, Power88

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	582.65 грн
10+	414.03 грн
100+	301.08 грн
500+	270.82 грн
1000+	223.02 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTMT125N65S3H onsemi

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA, Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTMT125N65S3H

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NTMT125N65S3H	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin TDFN EP Reel	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTMT125N65S3H	Виробник : onsemi	Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTMT125N65S3H	Виробник : onsemi	Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.