Продукція > ONSEMI > NTMT150N65S3HF
NTMT150N65S3HF

NTMT150N65S3HF ONSEMI

3191521.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 192W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.121ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+182.39 грн
500+168.59 грн
1000+154.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT150N65S3HF ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 192W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.121ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMT150N65S3HF за ціною від 154.92 грн до 499.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF Виробник : ONSEMI 3191521.pdf Description: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+277.30 грн
10+212.10 грн
100+182.39 грн
500+168.59 грн
1000+154.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF Виробник : onsemi ntmt150n65s3hf-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.06 грн
10+310.06 грн
100+233.60 грн
500+203.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF Виробник : onsemi ntmt150n65s3hf-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 24 A, 150 mohm, Power88
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.53 грн
10+346.03 грн
100+226.59 грн
250+225.85 грн
500+222.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntmt150n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HF Виробник : ONSEMI ntmt150n65s3hf-d.pdf NTMT150N65S3HF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF Виробник : onsemi ntmt150n65s3hf-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.