Продукція > ONSEMI > NTMT150N65S3HF
NTMT150N65S3HF

NTMT150N65S3HF onsemi

ntmt150n65s3hf-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+206.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT150N65S3HF onsemi

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTMT150N65S3HF за ціною від 212.15 грн до 537.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF onsemi ntmt150n65s3hf-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 22825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.68 грн
10+345.21 грн
100+251.91 грн
500+228.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF onsemi ntmt150n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 150MOHM PQFN88
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.78 грн
10+328.27 грн
100+236.12 грн
500+227.66 грн
1000+212.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HF ntmt150n65s3hf-d.pdf
NTMT150N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 22825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+529.68 грн
10+345.21 грн
100+251.91 грн
500+228.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HF ntmt150n65s3hf-d.pdf
NTMT150N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 150MOHM PQFN88
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+537.78 грн
10+328.27 грн
100+236.12 грн
500+227.66 грн
1000+212.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.