Продукція > ONSEMI > NTMT185N60S5H
NTMT185N60S5H

NTMT185N60S5H onsemi

ntmt185n60s5h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+145.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT185N60S5H onsemi

Description: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA, Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.

Інші пропозиції NTMT185N60S5H за ціною від 386.61 грн до 386.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMT185N60S5H NTMT185N60S5H Виробник : onsemi ntmt185n60s5h-d.pdf Description: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5H Виробник : ON Semiconductor ntmt185n60s5h-d.pdf Power MOSFET, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5H Виробник : onsemi ntmt185n60s5h-d.pdf MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5H Виробник : ONSEMI ntmt185n60s5h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 53A; 116W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 116W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Pulsed drain current: 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.