NTMT190N65S3H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 129W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 175.69 грн |
| 500+ | 152.85 грн |
| 1000+ | 135.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMT190N65S3H ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 129W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 129W, Bauform - Transistor: TDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMT190N65S3H за ціною від 135.97 грн до 239.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMT190N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 16 A, 190 mohm, Power88 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMT190N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 129W Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMT190N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 4-Pin TDFN EP Reel |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NTMT190N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTMT190N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTMT190N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 31nC Power dissipation: 129W Pulsed drain current: 45A |
товару немає в наявності |