Продукція > ONSEMI > NTMT190N65S3H
NTMT190N65S3H

NTMT190N65S3H ONSEMI

ntmt190n65s3h-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 129W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+162.58 грн
500+145.60 грн
1000+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT190N65S3H ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 129W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 129W, Bauform - Transistor: TDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMT190N65S3H за ціною від 128.74 грн до 440.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H Виробник : ONSEMI ntmt190n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.67 грн
10+208.80 грн
100+162.58 грн
500+145.60 грн
1000+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H Виробник : onsemi NTMT190N65S3H_D-2307254.pdf MOSFETs SF3 FAST, 190MOHM, PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.31 грн
10+313.88 грн
25+258.22 грн
100+214.08 грн
250+202.31 грн
500+188.33 грн
1000+176.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H Виробник : ON Semiconductor ntmt190n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 4-Pin TDFN EP Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H Виробник : ONSEMI ntmt190n65s3h-d.pdf NTMT190N65S3H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H Виробник : onsemi ntmt190n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H Виробник : onsemi ntmt190n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.