Продукція > ONSEMI > NTMT190N65S3H
NTMT190N65S3H

NTMT190N65S3H ONSEMI

3213455.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 129W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+143.85 грн
500+132.08 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT190N65S3H ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 129W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 129W, Bauform - Transistor: TDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMT190N65S3H за ціною від 121.23 грн до 364.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H ONSEMI 3213455.pdf Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.47 грн
10+146.26 грн
100+143.85 грн
500+132.08 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H onsemi ntmt190n65s3h-d.pdf MOSFETs SF3 FAST 190MOHM PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.84 грн
10+236.85 грн
100+166.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H ONN ntmt190n65s3h-d.pdf
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H 3213455.pdf
NTMT190N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+149.47 грн
10+146.26 грн
100+143.85 грн
500+132.08 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H ntmt190n65s3h-d.pdf
NTMT190N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FAST 190MOHM PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+364.84 грн
10+236.85 грн
100+166.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H ntmt190n65s3h-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.