Продукція > ONSEMI > NTMT190N65S3HF
NTMT190N65S3HF

NTMT190N65S3HF onsemi

ntmt190n65s3hf-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+199.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT190N65S3HF onsemi

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 162W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTMT190N65S3HF за ціною від 207.92 грн до 541.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMT190N65S3HF NTMT190N65S3HF onsemi ntmt190n65s3hf-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.20 грн
10+336.12 грн
100+244.89 грн
500+220.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF NTMT190N65S3HF onsemi ntmt190n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.89 грн
10+340.43 грн
100+229.07 грн
500+219.91 грн
1000+207.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF ntmt190n65s3hf-d.pdf
NTMT190N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+516.20 грн
10+336.12 грн
100+244.89 грн
500+220.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF ntmt190n65s3hf-d.pdf
NTMT190N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+541.89 грн
10+340.43 грн
100+229.07 грн
500+219.91 грн
1000+207.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.