NTMTS001N06CLTXG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 398.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 166.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS001N06CLTXG onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 398.2A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTMTS001N06CLTXG за ціною від 111.50 грн до 586.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMTS001N06CLTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 398.2APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V |
на замовлення 4423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMTS001N06CLTXG | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION |
на замовлення 2333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMTS001N06CLTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMTS001N06CLTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMTS001N06CLTXG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 5950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
NTMTS001N06CLTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTMTS001N06CLTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R |
товару немає в наявності |
