Продукція > ONSEMI > NTMTS001N06CTXG
NTMTS001N06CTXG

NTMTS001N06CTXG onsemi

ntmts001n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+109.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS001N06CTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NTMTS001N06CTXG за ціною від 104.62 грн до 269.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS001N06CTXG NTMTS001N06CTXG Виробник : onsemi ntmts001n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.96 грн
10+183.04 грн
100+130.41 грн
500+109.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXG NTMTS001N06CTXG Виробник : onsemi NTMTS001N06C-D.PDF MOSFETs T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
на замовлення 6989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.07 грн
10+198.48 грн
100+124.48 грн
500+113.02 грн
3000+104.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXG NTMTS001N06CTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53.7A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXG NTMTS001N06CTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53.7A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXG Виробник : ONSEMI ntmts001n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 376A; Idm: 900A; 122W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 376A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 910µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 113nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.