NTMTS002N08MC onsemi
Виробник: onsemi
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 557.83 грн |
| 10+ | 364.25 грн |
| 50+ | 290.01 грн |
| 100+ | 249.76 грн |
| 500+ | 242.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS002N08MC onsemi
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMTS002N08MC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMTS002N08MC | onsemi |
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTMTS002N08MC | ON Semiconductor |
MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| NTMTS002N08MC | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 229A; Idm: 3577A; 208W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 229A Pulsed drain current: 3577A Power dissipation: 208W Case: DFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTMTS002N08MC |
|
Виробник: onsemi
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NTMTS002N08MC |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NTMTS002N08MC |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 229A; Idm: 3577A; 208W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 229A
Pulsed drain current: 3577A
Power dissipation: 208W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 229A; Idm: 3577A; 208W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 229A
Pulsed drain current: 3577A
Power dissipation: 208W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.