Продукція > ONSEMI > NTMTS002N08MC
NTMTS002N08MC

NTMTS002N08MC onsemi

ntmts002n08mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+498.02 грн
10+324.06 грн
100+235.87 грн
500+211.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS002N08MC onsemi

Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTMTS002N08MC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMTS002N08MC NTMTS002N08MC onsemi ntmts002n08mc-d.pdf Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MC ON Semiconductor NTMTS002N08MC_D-2318989.pdf MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MC ONSEMI ntmts002n08mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 229A; Idm: 3577A; 208W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 229A
Pulsed drain current: 3577A
Power dissipation: 208W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MC ntmts002n08mc-d.pdf
NTMTS002N08MC
Виробник: onsemi
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MC NTMTS002N08MC_D-2318989.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MC ntmts002n08mc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 229A; Idm: 3577A; 208W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 229A
Pulsed drain current: 3577A
Power dissipation: 208W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.