Продукція > ONSEMI > NTMTS002N10MCTXG
NTMTS002N10MCTXG

NTMTS002N10MCTXG onsemi

ntmts002n10mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+246.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS002N10MCTXG onsemi

Description: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMTS002N10MCTXG за ціною від 214.59 грн до 570.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS002N10MCTXG NTMTS002N10MCTXG Виробник : onsemi NTMTS002N10MC-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 194 A, 2 mohm, PQFN 8x8
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.46 грн
10+382.91 грн
100+252.01 грн
1000+236.74 грн
3000+214.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXG NTMTS002N10MCTXG Виробник : onsemi ntmts002n10mc-d.pdf Description: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.83 грн
10+372.69 грн
100+272.31 грн
500+223.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts002n10mc-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXG Виробник : ONSEMI ntmts002n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 236A; Idm: 900A; 128W; TDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 236A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 128W
Case: TDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.