Продукція > ONSEMI > NTMTS002N10MCTXG

NTMTS002N10MCTXG onsemi


ntmts002n10mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+237.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS002N10MCTXG onsemi

Description: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA, Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTMTS002N10MCTXG за ціною від 214.18 грн до 587.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS002N10MCTXG NTMTS002N10MCTXG onsemi ntmts002n10mc-d.pdf Description: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.91 грн
10+357.73 грн
100+261.37 грн
500+214.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXG NTMTS002N10MCTXG onsemi ntmts002n10mc-d.pdf MOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.12 грн
10+393.12 грн
100+250.21 грн
500+244.57 грн
1000+229.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXG ntmts002n10mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+547.91 грн
10+357.73 грн
100+261.37 грн
500+214.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXG ntmts002n10mc-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+587.12 грн
10+393.12 грн
100+250.21 грн
500+244.57 грн
1000+229.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.