Продукція > ONSEMI > NTMTS0D4N04CTXG
NTMTS0D4N04CTXG

NTMTS0D4N04CTXG onsemi

ntmts0d4n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.72 грн
10+ 347.91 грн
100+ 281.44 грн
500+ 234.78 грн
1000+ 201.03 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS0D4N04CTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTMTS0D4N04CTXG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMTS0D4N04CTXG NTMTS0D4N04CTXG Виробник : onsemi ntmts0d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMTS0D4N04CTXG NTMTS0D4N04CTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts0d4n04c-d.pdf Single N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTMTS0D4N04CTXG NTMTS0D4N04CTXG Виробник : ON Semiconductor NTMTS0D4N04C_D-2319324.pdf MOSFET AFSM T6 40V SG NCH
товар відсутній