
NTMTS0D4N04CTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 506.93 грн |
10+ | 330.21 грн |
100+ | 240.47 грн |
500+ | 195.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS0D4N04CTXG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V.
Інші пропозиції NTMTS0D4N04CTXG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMTS0D4N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
NTMTS0D4N04CTXG | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NTMTS0D4N04CTXG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTMTS0D4N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |