NTMTS0D6N04CLTXG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 305.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS0D6N04CLTXG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V.
Інші пропозиції NTMTS0D6N04CLTXG за ціною від 294.21 грн до 629.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTMTS0D6N04CLTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V |
на замовлення 6477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTMTS0D6N04CLTXG | Виробник : onsemi | MOSFET T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION |
на замовлення 3231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTMTS0D6N04CLTXG | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NTMTS0D6N04CLTXG | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin DFNW EP T/R |
товар відсутній |