Продукція > ONSEMI > NTMTS0D6N04CTXG
NTMTS0D6N04CTXG

NTMTS0D6N04CTXG onsemi

ntmts0d6n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 533A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+178.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS0D6N04CTXG onsemi

Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 533A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: Power 88, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTMTS0D6N04CTXG за ціною від 161.68 грн до 444.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG Виробник : onsemi NTMTS0D6N04C_D-2319004.pdf MOSFETs T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.83 грн
10+281.73 грн
100+182.45 грн
500+172.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG Виробник : onsemi ntmts0d6n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 533A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.86 грн
10+286.69 грн
100+206.66 грн
500+161.95 грн
1000+161.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG Виробник : ON Semiconductor NTMTS0D6N04C_D-2319004.pdf MOSFET T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG Виробник : ONSEMI ntmts0d6n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts0d6n04c-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.