Продукція > ONSEMI > NTMTS0D7N06CLTXG
NTMTS0D7N06CLTXG

NTMTS0D7N06CLTXG onsemi

ntmts0d7n06cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+133.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS0D7N06CLTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMTS0D7N06CLTXG за ціною від 179.96 грн до 470.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS0D7N06CLTXG NTMTS0D7N06CLTXG Виробник : onsemi ntmts0d7n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 16657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.00 грн
10+224.84 грн
100+196.43 грн
500+179.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CLTXG NTMTS0D7N06CLTXG Виробник : onsemi NTMTS0D7N06CL_D-2319120.pdf MOSFETs AFSM T6 60V LL NCH
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.07 грн
10+326.63 грн
100+213.57 грн
500+206.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CLTXG Виробник : ONSEMI ntmts0d7n06cl-d.pdf NTMTS0D7N06CLTXG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.