Продукція > ONSEMI > NTMTS1D2N08H
NTMTS1D2N08H

NTMTS1D2N08H onsemi

ntmts1d2n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+200.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS1D2N08H onsemi

Description: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMTS1D2N08H за ціною від 197.79 грн до 498.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS1D2N08H NTMTS1D2N08H Виробник : onsemi ntmts1d2n08h-d.pdf Description: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.22 грн
10+316.77 грн
100+236.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D2N08H Виробник : onsemi ntmts1d2n08h-d.pdf MOSFETs T8-80V IN PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.93 грн
10+362.71 грн
100+232.92 грн
1000+220.70 грн
3000+197.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D2N08H NTMTS1D2N08H Виробник : ON Semiconductor ntmts1d2n08h-d.pdf Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D2N08H Виробник : ON Semiconductor ntmts1d2n08h-d.pdf Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D2N08H Виробник : ONSEMI ntmts1d2n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 335A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 335A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.