Продукція > ONSEMI > NTMTS1D5N08MC
NTMTS1D5N08MC

NTMTS1D5N08MC onsemi

ntmts1d5n08mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.07 грн
10+374.90 грн
100+291.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS1D5N08MC onsemi

Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMTS1D5N08MC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS1D5N08MC NTMTS1D5N08MC Виробник : ON Semiconductor ntmts1d5n08mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08MC NTMTS1D5N08MC Виробник : onsemi ntmts1d5n08mc-d.pdf Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08MC Виробник : onsemi NTMTS1D5N08MC_D-1814405.pdf MOSFETs PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.