NTMTS1D6N10MCTXG onsemi
Виробник: onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 706.45 грн |
| 10+ | 531.16 грн |
| 25+ | 493.70 грн |
| 100+ | 424.70 грн |
| 250+ | 406.29 грн |
| 500+ | 395.20 грн |
| 1000+ | 379.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS1D6N10MCTXG onsemi
Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 273A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 291W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NTMTS1D6N10MCTXG за ціною від 372.54 грн до 976.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 291W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 291W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 273A, 1.7mohm, PQFN 8x8 |
на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 146W Case: DFNW8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 106nC On-state resistance: 1.7mΩ Drain-source voltage: 100V Drain current: 273A Pulsed drain current: 900A Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |