Продукція > ONSEMI > NTMTS1D6N10MCTXG
NTMTS1D6N10MCTXG

NTMTS1D6N10MCTXG ONSEMI

3409760.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 291W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+767.51 грн
100+666.00 грн
500+458.27 грн
3000+414.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS1D6N10MCTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 273A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 291W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції NTMTS1D6N10MCTXG за ціною від 363.87 грн до 944.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS1D6N10MCTXG NTMTS1D6N10MCTXG Виробник : onsemi ntmts1d6n10mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+839.58 грн
10+553.60 грн
25+487.21 грн
100+386.72 грн
250+363.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D6N10MCTXG NTMTS1D6N10MCTXG Виробник : ONSEMI 3409760.pdf Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 291W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.95 грн
10+767.51 грн
100+666.00 грн
500+458.27 грн
3000+414.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D6N10MCTXG Виробник : onsemi NTMTS1D6N10MC_D-3006609.pdf MOSFETs PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 STD CLIP, 16 MOHMS MAX
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+919.23 грн
10+630.30 грн
25+482.61 грн
100+407.57 грн
250+398.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D6N10MCTXG NTMTS1D6N10MCTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts1d6n10mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D6N10MCTXG Виробник : ONSEMI ntmts1d6n10mc-d.pdf NTMTS1D6N10MCTXG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D6N10MCTXG NTMTS1D6N10MCTXG Виробник : onsemi ntmts1d6n10mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.