NTMTS1D6N10MCTXG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 291W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 691.25 грн |
| 100+ | 599.83 грн |
| 500+ | 412.73 грн |
| 3000+ | 373.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS1D6N10MCTXG ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 273A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 291W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NTMTS1D6N10MCTXG за ціною від 343.69 грн до 851.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 291W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : onsemi |
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100V, 273A, 1.7mohm, PQFN 8x8 |
на замовлення 3084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTMTS1D6N10MCTXG | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V |
товар відсутній |