Продукція > ONSEMI > NTMTS4D3N15MC
NTMTS4D3N15MC

NTMTS4D3N15MC ONSEMI

ntmts4d3n15mc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+411.72 грн
50+345.98 грн
100+285.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS4D3N15MC ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 293W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 293W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMTS4D3N15MC за ціною від 285.12 грн до 611.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS4D3N15MC NTMTS4D3N15MC Виробник : onsemi ntmts4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+608.50 грн
10+399.35 грн
100+293.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS4D3N15MC NTMTS4D3N15MC Виробник : ONSEMI ntmts4d3n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+611.47 грн
5+512.00 грн
10+411.72 грн
50+345.98 грн
100+285.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS4D3N15MC Виробник : ONN ntmts4d3n15mc-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS4D3N15MC NTMTS4D3N15MC Виробник : onsemi ntmts4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS4D3N15MC NTMTS4D3N15MC Виробник : onsemi ntmts4d3n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.