Продукція > ONSEMI > NTMTS6D0N15MC
NTMTS6D0N15MC

NTMTS6D0N15MC onsemi


ntmts6d0n15mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4815 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+214.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS6D0N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 0.0046 ohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 245W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMTS6D0N15MC за ціною від 193.90 грн до 563.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTS6D0N15MC NTMTS6D0N15MC Виробник : ONSEMI 3213457.pdf Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 0.0046 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+374.81 грн
100+282.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS6D0N15MC NTMTS6D0N15MC Виробник : onsemi ntmts6d0n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4815 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.29 грн
10+295.10 грн
100+221.42 грн
500+193.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS6D0N15MC NTMTS6D0N15MC Виробник : ONSEMI 3213457.pdf Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 0.0046 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+533.42 грн
10+374.81 грн
100+282.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS6D0N15MC Виробник : onsemi ntmts6d0n15mc-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 150V, 135A, 6.4mohm, PQFN 8x8
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.44 грн
10+390.23 грн
100+255.24 грн
500+238.12 грн
1000+219.52 грн
3000+206.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.