Продукція > ONSEMI > NTMTSC002N10MCTXG
NTMTSC002N10MCTXG

NTMTSC002N10MCTXG onsemi

ntmtsc002n10mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+200.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC002N10MCTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMTSC002N10MCTXG за ціною від 167.04 грн до 419.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMTSC002N10MCTXG NTMTSC002N10MCTXG onsemi NTMTSC002N10MC-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 236A, 2.0mohm
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.04 грн
10+276.40 грн
100+196.65 грн
500+193.83 грн
1000+180.44 грн
3000+167.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC002N10MCTXG NTMTSC002N10MCTXG onsemi ntmtsc002n10mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.46 грн
10+284.43 грн
100+213.11 грн
500+180.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC002N10MCTXG NTMTSC002N10MC-D.PDF
NTMTSC002N10MCTXG
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 236A, 2.0mohm
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+407.04 грн
10+276.40 грн
100+196.65 грн
500+193.83 грн
1000+180.44 грн
3000+167.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC002N10MCTXG ntmtsc002n10mc-d.pdf
NTMTSC002N10MCTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+419.46 грн
10+284.43 грн
100+213.11 грн
500+180.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.