Продукція > ONSEMI > NTMTSC002N10MCTXG
NTMTSC002N10MCTXG

NTMTSC002N10MCTXG onsemi

ntmtsc002n10mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+202.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC002N10MCTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMTSC002N10MCTXG за ціною від 183.21 грн до 484.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTSC002N10MCTXG NTMTSC002N10MCTXG Виробник : onsemi ntmtsc002n10mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 5161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.80 грн
10+288.05 грн
100+215.82 грн
500+183.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC002N10MCTXG NTMTSC002N10MCTXG Виробник : onsemi ntmtsc002n10mc-d.pdf MOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 20 MOHMS MAX
на замовлення 5484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.95 грн
10+345.75 грн
25+274.67 грн
100+235.32 грн
500+219.73 грн
1000+211.57 грн
3000+194.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC002N10MCTXG NTMTSC002N10MCTXG Виробник : ONSEMI 3168489.pdf Description: ONSEMI - NTMTSC002N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 0.0017 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+484.67 грн
10+358.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC002N10MCTXG NTMTSC002N10MCTXG Виробник : ON Semiconductor ntmtsc002n10mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 45A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC002N10MCTXG Виробник : ONSEMI ntmtsc002n10mc-d.pdf NTMTSC002N10MCTXG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.