| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 512.70 грн |
| 10+ | 376.26 грн |
| 100+ | 256.24 грн |
| 1000+ | 242.46 грн |
| 3000+ | 217.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTSC1D5N08MC onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc).
Інші пропозиції NTMTSC1D5N08MC за ціною від 228.59 грн до 539.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMTSC1D5N08MC | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNWInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NTMTSC1D5N08MC | ONN |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMTSC1D5N08MC |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 539.34 грн |
| 10+ | 361.54 грн |
| 100+ | 270.30 грн |
| 500+ | 228.59 грн |
| NTMTSC1D5N08MC |
|
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)