Продукція > ONSEMI > NTMTSC1D5N08MC
NTMTSC1D5N08MC

NTMTSC1D5N08MC onsemi

NTMTSC1D5N08MC-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 80V IN CEBU PQFN88
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.61 грн
10+379.87 грн
100+258.69 грн
1000+244.78 грн
3000+219.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC1D5N08MC onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMTSC1D5N08MC за ціною від 230.78 грн до 544.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTSC1D5N08MC NTMTSC1D5N08MC Виробник : onsemi ntmtsc1d5n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.50 грн
10+365.00 грн
100+272.89 грн
500+230.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D5N08MC Виробник : ONN ntmtsc1d5n08mc-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D5N08MC NTMTSC1D5N08MC Виробник : onsemi ntmtsc1d5n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D5N08MC Виробник : ONSEMI ntmtsc1d5n08mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 287A; Idm: 3500A; 250W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 287A
Pulsed drain current: 3500A
Power dissipation: 250W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 101nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.