Продукція > ONSEMI > NTMTSC1D5N08MC
NTMTSC1D5N08MC

NTMTSC1D5N08MC onsemi

NTMTSC1D5N08MC-D.PDF Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 80V IN CEBU PQFN88
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.43 грн
10+417.16 грн
100+284.85 грн
1000+279.50 грн
3000+241.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC1D5N08MC onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMTSC1D5N08MC за ціною від 243.69 грн до 574.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTSC1D5N08MC NTMTSC1D5N08MC Виробник : onsemi ntmtsc1d5n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+574.96 грн
10+385.42 грн
100+288.15 грн
500+243.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D5N08MC Виробник : ON Semiconductor ntmtsc1d5n08mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D5N08MC NTMTSC1D5N08MC Виробник : onsemi ntmtsc1d5n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D5N08MC Виробник : ONSEMI ntmtsc1d5n08mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 287A; Idm: 3500A; 250W; DFNW8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 101nC
On-state resistance: 1.56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 250W
Drain current: 287A
Pulsed drain current: 3500A
Case: DFNW8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.