Продукція > ONSEMI > NTMTSC1D6N10MCTXG
NTMTSC1D6N10MCTXG

NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi

ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+202.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMTSC1D6N10MCTXG за ціною від 186.91 грн до 489.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTSC1D6N10MCTXG NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : onsemi ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
на замовлення 64450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.09 грн
10+318.36 грн
100+239.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : onsemi NTMTSC1D6N10MC-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.90 грн
10+336.75 грн
100+220.14 грн
1000+213.91 грн
3000+186.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : ONN ntmtsc1d6n10mc-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.