Продукція > ONSEMI > NTMTSC1D6N10MCTXG
NTMTSC1D6N10MCTXG

NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi

ntmtsc1d6n10mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+206.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi

Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 267A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: DFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMTSC1D6N10MCTXG за ціною від 190.30 грн до 503.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMTSC1D6N10MCTXG NTMTSC1D6N10MCTXG ONSEMI 3168490.pdf Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+402.10 грн
100+325.63 грн
500+260.37 грн
1000+212.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 64450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.96 грн
10+324.13 грн
100+243.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG NTMTSC1D6N10MCTXG ONSEMI 3168490.pdf Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.25 грн
10+402.10 грн
100+325.63 грн
500+260.37 грн
1000+212.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi NTMTSC1D6N10MC-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.51 грн
10+342.86 грн
100+224.13 грн
1000+217.79 грн
3000+190.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG ONN ntmtsc1d6n10mc-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG 3168490.pdf
NTMTSC1D6N10MCTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+402.10 грн
100+325.63 грн
500+260.37 грн
1000+212.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG ntmtsc1d6n10mc-d.pdf
NTMTSC1D6N10MCTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 64450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+497.96 грн
10+324.13 грн
100+243.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG 3168490.pdf
NTMTSC1D6N10MCTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+503.25 грн
10+402.10 грн
100+325.63 грн
500+260.37 грн
1000+212.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG NTMTSC1D6N10MC-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+483.51 грн
10+342.86 грн
100+224.13 грн
1000+217.79 грн
3000+190.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG ntmtsc1d6n10mc-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.