Продукція > ONSEMI > NTMTSC1D6N10MCTXG
NTMTSC1D6N10MCTXG

NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi

ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+248.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMTSC1D6N10MCTXG за ціною від 206.19 грн до 523.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTSC1D6N10MCTXG NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : onsemi ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
на замовлення 5153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.44 грн
10+389.79 грн
100+314.96 грн
500+257.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : onsemi NTMTSC1D6N10MC-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.88 грн
10+371.49 грн
100+242.85 грн
1000+235.98 грн
3000+206.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : ON Semiconductor ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : ONSEMI ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 267A; Idm: 900A; 145W; Power88
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 145W
Drain current: 267A
Pulsed drain current: 900A
Case: Power88
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.