NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 205.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 267A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: DFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTMTSC1D6N10MCTXG за ціною від 189.11 грн до 513.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMTSC1D6N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMTSC1D6N10MCTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V |
на замовлення 64450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMTSC1D6N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTMTSC1D6N10MCTXG | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NTMTSC1D6N10MCTXG | Виробник : ONN |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |