Продукція > ONSEMI > NTMTSC4D3N15MC
NTMTSC4D3N15MC

NTMTSC4D3N15MC ONSEMI

3213458.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+348.15 грн
100+255.42 грн
500+209.98 грн
1000+189.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC4D3N15MC ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 293W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 293W, Bauform - Transistor: TDFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMTSC4D3N15MC за ціною від 189.65 грн до 576.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : ONSEMI 3213458.pdf Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+503.52 грн
10+348.15 грн
100+255.42 грн
500+209.98 грн
1000+189.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : onsemi ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.46 грн
10+344.74 грн
100+251.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : onsemi ntmtsc4d3n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.73 грн
10+377.66 грн
100+265.65 грн
500+236.36 грн
1000+208.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : ON Semiconductor ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : ON Semiconductor ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : onsemi ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC Виробник : ONSEMI ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; TDFNW8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Power dissipation: 293W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.