Продукція > ONSEMI > NTMYS003N08LHTWG
NTMYS003N08LHTWG

NTMYS003N08LHTWG ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.89 грн
500+88.93 грн
1000+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMYS003N08LHTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMYS003N08LHTWG за ціною від 80.61 грн до 297.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMYS003N08LHTWG NTMYS003N08LHTWG Виробник : ONSEMI Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.17 грн
10+158.75 грн
100+113.89 грн
500+88.93 грн
1000+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS003N08LHTWG NTMYS003N08LHTWG Виробник : onsemi NTMYS003N08LH-D.PDF MOSFETs Power MOSFET 80 V, 132 A, 3.3mohm Single N-Channel
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.01 грн
10+160.98 грн
100+100.75 грн
500+93.83 грн
1000+92.29 грн
3000+86.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.