Продукція > ONSEMI > NTMYS003N08LHTWG
NTMYS003N08LHTWG

NTMYS003N08LHTWG ONSEMI

4073639.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.61 грн
500+83.25 грн
1000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMYS003N08LHTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMYS003N08LHTWG за ціною від 75.46 грн до 269.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMYS003N08LHTWG NTMYS003N08LHTWG Виробник : onsemi NTMYS003N08LH-D.PDF MOSFETs Power MOSFET 80 V, 132 A, 3.3mohm Single N-Channel
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.33 грн
10+144.89 грн
100+90.69 грн
500+84.46 грн
1000+83.07 грн
3000+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS003N08LHTWG NTMYS003N08LHTWG Виробник : ONSEMI 4073639.pdf Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+269.75 грн
10+148.61 грн
100+106.61 грн
500+83.25 грн
1000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.