NTMYS003N08LHTWG ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 112.81 грн |
| 500+ | 88.09 грн |
| 1000+ | 79.85 грн |
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Технічний опис NTMYS003N08LHTWG ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMYS003N08LHTWG за ціною від 79.85 грн до 294.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
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NTMYS003N08LHTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 132A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMYS003N08LHTWG | Виробник : onsemi | MOSFETs Power MOSFET 80 V, 132 A, 3.3mohm Single N-Channel |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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