Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMYS011N04CTWG
NTMYS011N04CTWG

NTMYS011N04CTWG ON Semiconductor

ntmys011n04cd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
448+78.50 грн
500+70.66 грн
1000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMYS011N04CTWG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMYS011N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMYS011N04CTWG за ціною від 60.06 грн до 195.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMYS011N04CTWG NTMYS011N04CTWG ON Semiconductor ntmys011n04cd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+78.50 грн
500+70.66 грн
1000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS011N04CTWG NTMYS011N04CTWG onsemi ntmys011n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.51 грн
10+121.63 грн
100+83.71 грн
500+63.34 грн
1000+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS011N04CTWG NTMYS011N04CTWG ONSEMI ONSM-S-A0013300736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMYS011N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS011N04CTWG NTMYS011N04CTWG onsemi ntmys011n04c-d.pdf MOSFETs 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS011N04CTWG NTMYS011N04CTWG ONSEMI ONSM-S-A0013300736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMYS011N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS011N04CTWG ntmys011n04cd.pdf
NTMYS011N04CTWG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
448+78.50 грн
500+70.66 грн
1000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS011N04CTWG ntmys011n04c-d.pdf
NTMYS011N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.51 грн
10+121.63 грн
100+83.71 грн
500+63.34 грн
1000+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS011N04CTWG ONSM-S-A0013300736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMYS011N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS011N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS011N04CTWG ntmys011n04c-d.pdf
NTMYS011N04CTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS011N04CTWG ONSM-S-A0013300736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMYS011N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS011N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.