Продукція > ONSEMI > NTMYS013N08LHTWG
NTMYS013N08LHTWG

NTMYS013N08LHTWG onsemi

ntmys013n08lh-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL LFPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMYS013N08LHTWG onsemi

Description: T8 80V LL LFPAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc).

Інші пропозиції NTMYS013N08LHTWG за ціною від 56.47 грн до 165.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMYS013N08LHTWG NTMYS013N08LHTWG onsemi ntmys013n08lh-d.pdf MOSFETs T8 80V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.97 грн
10+124.55 грн
100+86.50 грн
250+79.47 грн
500+72.44 грн
1000+64.98 грн
3000+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS013N08LHTWG NTMYS013N08LHTWG onsemi ntmys013n08lh-d.pdf Description: T8 80V LL LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS013N08LHTWG ntmys013n08lh-d.pdf
NTMYS013N08LHTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+150.97 грн
10+124.55 грн
100+86.50 грн
250+79.47 грн
500+72.44 грн
1000+64.98 грн
3000+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS013N08LHTWG ntmys013n08lh-d.pdf
NTMYS013N08LHTWG
Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.