NTMYS021N06CLTWG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.06 грн |
| 10+ | 79.76 грн |
| 100+ | 53.60 грн |
| 500+ | 39.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMYS021N06CLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTMYS021N06CLTWG за ціною від 35.44 грн до 162.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMYS021N06CLTWG | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 26A 21Ohm |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMYS021N06CLTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMYS021N06CLTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| NTMYS021N06CLTWG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
NTMYS021N06CLTWG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMYS021N06CLTWG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 131A; 9W; LFPAK56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 27A Pulsed drain current: 131A Power dissipation: 9W Case: LFPAK56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |