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NTMYS025N06CLTWG

NTMYS025N06CLTWG onsemi

ntmys025n06cl-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
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Технічний опис NTMYS025N06CLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 24W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 24W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm.

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NTMYS025N06CLTWG NTMYS025N06CLTWG ONSEMI 2850030.pdf Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTMYS025N06CLTWG NTMYS025N06CLTWG ONSEMI 2850030.pdf Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 24W
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Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTMYS025N06CLTWG 2850030.pdf
NTMYS025N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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на замовлення 366 шт:
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
на замовлення 366 шт:
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Мінімальне замовлення: 100 шт
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